佳能将发售新一代i线步进式光刻机，性能大幅提升

　　在曝光的一系列工艺中，在硅晶圆上制造出半导体芯片的工艺称为前道工艺。保护精密的半导体芯片不受外部环境的影响，并在安装时实现与外部的电气连接的封装工艺称为后道工艺。

 

　　佳能介绍，新款i线步进式光刻机通过0.8μm的高解像力和拼接曝光技术，使100 x 100mm的超大视场曝光成为可能，从而实现2.5D和3D技术相结合的超大型高密度布线封装的量产。

 

　　和去年4月发售的前一代产品“FPA-5520iV LF Option”相比，新品能够将像差抑制至四分之一以下，视场尺寸也较52x68mm大幅增加。所谓i线也就是光源来自波长365nm的水银灯，和EUV光刻机使用的13.5nm波长激光等离子体光源区别明显。按照佳能的说法，除芯片精细化以外，封装的高密度布线也被认为是实现高性能的技术之一。可以预见，随着对更高性能半导体器件的先进封装需求的增加，后道工艺中的半导体光刻机市场将继续扩大。

 

　　按照佳能的说法，除芯片精细化以外，封装的高密度布线也被认为是实现高性能的技术之一。可以预见，随着对更高性能半导体器件的先进封装需求的增加，后道工艺中的半导体光刻机市场将继续扩大。