WesternDigital旗下HGST1日宣布，已通过将融合self-assemblingmolecules(分子自组装)和nanoimprinting(纳米印刷)技术，成功创造出大面积高密度存储介质，其magneticislands磁岛宽度只有10nm，是目前硬盘技术的两倍，可望于未来数年内大幅提高机械硬盘的存储密度，让单碟容量可望提升。

    据HGST表示，新技术能够让magneticislands磁岛宽度只相当于大约50个原子宽，或者人类头发丝的十万分之一。其中，自组装分子使用的杂化聚合物，为互相排斥的段组成的嵌段共聚物，表面上作为薄膜涂层，聚合物链段的大小决定的行间距，结合转换为模板的纳米压印，将纳米尺度模式到一个芯片或磁盘基板的模式，令magneticislands磁岛宽度只有10nm。

    HGST还提供了路线图，指出如何经济有效地提远远升磁岛密度，无需使用任何传统的光刻技术便可令硬盘尺寸更小。目前HGST实验室已测试出其出色的读写速度和数据保存能力，扩展到整个硬盘之后，将可望达到超过一万亿个磁岛，进而降低晶格介质(bit-patternedmedia)的成本，并可望于未来数年内大幅度提高机械硬盘的存储密度。

    此外，据HGSTResearch副总裁CurrieMunce表示，新兴的自组装分子和纳米压印技术将产生巨大的影响，使纳米制造成为一个成本效益的方式，并增加在磁性硬盘驱动器上的数据密度。