三菱材料开发出了用于薄膜硅型太阳能电池电极的Ag(银)纳米墨、ITO(氧化铟锡)纳米墨及SiO2墨。这些墨系将纳米颗粒分散到墨中制成，涂布在薄膜硅型太阳能电池的Si层上后，可以形成名为背面电极的亚微米级厚度的薄膜。其光电转换效率可与原来的真空成膜相当。

　　薄膜硅型太阳能电池的优点有：硅用量可减至结晶硅型的1/100左右、能量偿付期(所发电力达到制造该产品所需电力的运行时间)短、与化合物半导体型太阳能电池相比不容易受Te(碲)等原料用量的限制等。不过，对太阳能电池厂商而言，引进多种真空成膜装置的初期投资成本高是一个很大的问题，需要通过转变成涂布成膜工艺来大幅降低成本。

　　据介绍，此次的电极墨，可利用大日本网屏制造(DNS)的涂布装置“Linearcoater”在1.4m×1.1m的大块玻璃上稳定成膜。这有利于削减薄膜硅型太阳能电池的制造成本。

　　三菱材料将在2011年11月28日～12月2日于福冈县福冈市举行的“21stInternationalPhotovoltaicScienceandEngineeringConference(PVSEC-21)”上公布此次的开发成果。另外，大日本网屏制造(DNS)将在2011年11月28日～11月30日于中国上海市举行的“PVChina2011”上介绍这种墨的涂布工艺。